硅(Si)一直是半导体产业的重点和现代电子行业在过去的半个世纪。然而,它的表面性质仍然是一个谜。如果表面的性质相差很大,但制造Si-based设备至关重要。氟化氢(HF)及其缓冲(BHF银行)解决方案通常用于治疗和删除本机表面氧化层。BHF银行蚀刻后,氢(H)终止表面形式,和表面性质变化显著由于表面状态的变化和表面偶极子的一代。
教授领导的一个科学家小组)Tonouchi来自大阪大学研究了太赫兹(太赫兹)排放硅表面的性质,发现隐含的太赫兹发射和半定量的关系表面能带弯曲的表面偶极子。
目前,各种方法用于描述在晶片表面的缺陷确认更好的表面光刻过程在半导体行业。标准晶片检查技术包括brightfield和暗视野检查用一束激光及其反射在特定角度,电子束检测、多波束检测使用一个高分辨率的电子束。除了在硅晶片的表面缺陷,表面电性质也是非常重要的进一步加工和设备质量的影响。
提高收益率的产品集成到硅晶片,有必要迅速描述硅晶片的表面性质,有效、定量化学处理前后在制造过程中。提出了几个有用但复杂的工具来估计表面潜力。这些包括x射线光电子能谱、表面光电压测量和开尔文力显微镜。半岛综合体育官方APP下载德甲敏感的地方表面评价方法和快速表面属性映射仍然缺乏和迫切需要。
研究小组提出了激光太赫兹(太赫兹)发射光谱学(te)和激光太赫兹发射显微镜并(一)最有希望的候选人。半岛综合体育官方APP下载德甲这些执行作为一个敏感的和半定量的非接触式,当地的描述方法。它提供了一个额外的映射函数,可以有效地评估表面性质,如表面潜力,钝化层和表面电荷密度。
在半导体表面的超快激光激发产生太赫兹辐射由于超速的电荷传输。该机制可分为主要分为两类:photocarrier photocarriers扩散和漂移。如果金属氧化物半导体结构的太赫兹发射被认为是漂流的合并后的结果和扩散在以前的报告。裸露的硅表面上的photo-Dember效应相对较弱而产生的漂移电流表面电场。
研究人员观察的太赫兹发射Si表面之前和之后删除本机氧化层使用BHF银行的解决方案。同时,掺杂的参数类型和掺杂浓度也表明他们对观察到的太赫兹发射波形的幅值和极性。太赫兹波形的翻转揭示了太赫兹发射表面能带弯曲的强烈依赖。它是由能源和散装费米水平表面状态。
此外,研究人员考察了表面的参数属性。他们并提供了一个一图像表面的电位分布在硅表面的行间距模式BHF银行蚀刻后应用程序的一个例子。LTEM-TES是一种很有前途的工具,实现快速、非接触和敏感Si表面特性的描述,将有利于现代硅产业。
