拉曼显微镜研究晶体缺陷在碳化硅晶片

晶体缺陷4 h-sic外延晶片,混乱和叠加等缺点,因此限制SiC的商业化设备和必须消除或降低水平低于某个临界密度。纳米技术的可持续能源的关西学院大学科技学院的研究目标是建立碳化硅晶体生长过程,可以产生大,超高质量的碳化硅外延晶片。为了实现这一点,他们试图阐明晶体缺陷的原因和形成机制在SiC大部分水晶和外延薄膜。

晶体缺陷在晶体产生残余应力。压力可以通过多种机制发生在4 h-sic晶体。例如,温度梯度生长晶体,晶体生长的一个主要推动力,导致晶体的塑性变形在增长和/或冷却过程。这种变形导致残余应力时,晶体被冷却到室温。晶体的空间应力变化可以测量使用英国的inVia共焦拉曼显微镜。这些测量提供有价值的信息物理蒸汽运输过程中缺陷的形成(PVT)增长和化学蒸汽沉积(CVD)过程。这些信息是用来改善晶体生长过程。

教授现任Ohtani的实验室也使用高分辨率x射线衍射(HRXRD)应力分布的特点。拉曼显微镜HRXRD数据提供补充信息,但更高的空间分辨率。Ohtani教授和他的同事们最近发表了一篇论文材料科学论坛题为“初期的结构和电子特性的物理蒸汽运输增长4 h-sic晶体”。它说明了微拉曼成像的力量来帮助显示重掺杂氮的影响捐赠者在碳化硅晶体缺陷的形成。