过渡金属dichalcogenides (tmd)是一种二维材料具有独特的光学和电学性能。他们是与化学结构MX半导体2其中M是一种过渡金属硫族元素和X。隔离后的石墨烯层,研究替代二维层状材料提供相同的,或者更好的,属性猛增。大部分金属氧化物半导体2间接带隙,带隙变得直接而在单层形式。直接带隙的形成是由于消除层间相互作用意义电子被局限在一个平面上。机械的金属氧化物半导体2单层膜具有高度灵活,他们有一个强度高于常用的灵活的塑料,和刚度与钢。
金属氧化物半导体的应用2有很多和广泛,光电子学等领域的兴趣,水处理,太阳能和生物医学。的材料必须执行的最高能力缺陷免费。缺陷、应力和应变可以显著影响材料的属性。例如,消除缺陷负责无辐射复合可以意识到光激发光量子收益率超过95%。相关拉曼及光致发光(PL)成像可用于提供高度详细的样品信息没有任何样品制备或损坏。
使用共焦拉曼显微镜喇曼和PL地图可以获得相同的样本。在这个应用程序中,CVD-grown金属氧化物半导体2片进行了分析使用拉曼和PL RM5拉曼显微镜成像。
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