文摘:p沟道电荷耦合器件(ccd)由n型硅晶圆最初开发地面光学和近红外望远镜。这些ccd的厚耗尽层提供高量子效率的显著优势(QE)硬x射线。另一方面,高获得量化宽松软x射线与黑色背景(BI)和完全耗尽ccd只有薄薄一层表面存在死亡的发生率。因此,p沟道BI ccd可以作为优良的宽带应用x射线探测器。我们已经开发出这样一个专门为软x射线成像设备(SXI) x射线天文学上卫星ASTRO-H,将在2014年推出。我们以前报道,耗尽层的ccd, SXI-CCDs的原型,厚度超过MathML源视图。在本文中,我们报告一个新颖的软x射线响应p沟道BI ccd。首先,我们照射荧光x射线的O, F, Na,铝,硅和K SXI原型。这个实验表明,我们的CCD显著低能尾结构软x射线响应。由于低能尾巴的强度更大的低能量的x射线,尾巴是起源于CCD表层。 Then, we fabricate a new type of CCDs by applying an alternative treatment to its surface layer. The soft X-ray response of the CCD is measured by irradiation of monochromatic X-rays from 0.25 keV to 1.8 keV in a synchrotron facility, KEK-PF. The intensity of the low-energy tail for 0.5 keV incident X-ray is one order of magnitude smaller than that for the previous CCD. The same treatment will be applied to the surface layer of the SXI flight model.
Hiroshi及其Shutaro建筑师,清目的,Naohisa Anabuki, Hiroshi Tsunemi,菅直人总裁中西宏明Takayoshi Kohmura,池田Shoma Kenta Kaneko Tatsuo渡边Hiroshi村上,Kazuya坂田,Shotaro Todoroki, Nobuyoshi Yagihashi, Eiki美津浓,Masaharu Muramatsu表示,铃木Hisanori Shin 'ichiro高木涉